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机译:p-CuO / n-Si异质结太阳能电池的两步溅射减少富铜界面层并提高整体CuO性能
Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 3 Research Link, 117602 Singapore;
机译:p-CuO / n-Si异质结太阳能电池的两步溅射减少富铜界面层并提高整体CuO性能
机译:通过界面工程获得高开路电压和光电流的p-CuO / n-Si异质结太阳能电池
机译:反应磁控溅射制备p-CuO / n-Si异质结的光伏性能
机译:通过掺入石墨烯来调节p-CuO薄膜的光学性能,以实现出色的p-CuO / n-Si异质结光电探测器性能
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:p型半导体氧化镍作为聚合物本体异质结太阳能电池中提高效率的阳极界面层
机译:太阳能电池:Mooxanode中间层上制造的有效散装异质结太阳能电池的界面特征(ADV。Mater。20/2016)
机译:界面层对异质结太阳电池电光性能的影响。总结报告