机译:一种测量金属氧化物半导体场效应晶体管接口的旋转依赖捕获事件的技术:近零场自旋依赖电荷泵
Alternative Computing Group National Institute of Standards and Technology Gaithersburg Maryland 20899 USA;
Department of Engineering Science and Mechanics The Pennsylvania State University University Park Pennsylvania 16802 USA;
Department of Physics University of Evansville Evansville Indiana 47722 USA;
Department of Physics and Astronomy The University of Iowa Iowa City Iowa 52242 USA;
机译:通过自旋相关复合观察4H-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的俘获缺陷
机译:Al_2O_3 / In_(0.75)Ga_(0.25)As金属氧化物半导体场效应晶体管中的界面陷阱的电荷泵表征
机译:HfO
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中静电放电引起的界面陷阱的表征
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:用于背面氩轰击的氮化n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的界面和电荷俘获特性研究
机译:功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mOsFET)的单粒子效应(sEE)