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机译:蓝宝石上封装和退火(0001)氢化物气相外延GaN膜的拓扑和电性能
US Army Res Lab FCDD RLS DE 2800 Powder Mill Rd Adelphi MD 20783 USA;
US Army Res Lab FCDD RLS DE 2800 Powder Mill Rd Adelphi MD 20783 USA;
机译:蓝宝石上加盖并退火的(0001)氢化物气相外延GaN膜的拓扑和电学性质
机译:金属有机气相外延与氢化物气相外延相结合,在r面蓝宝石上生长a面GaN薄膜
机译:氢化物气相外延生长在m平面蓝宝石上的非极性m平面GaN薄膜的微观结构和光学性质
机译:氢化物气相外延在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN纳米棒
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:高温退火对氢化物气相外延生长的自立式GaN薄膜残余应变和弯曲的影响