机译:深度温度微波检测光感应电流瞬态光谱法表征未退火的中子trans杂掺杂硅的缺陷
Fraunhofer Res Inst Microsyst & Solid State Techn Hansastr 27d D-80686 Munich Germany;
Fraunhofer Res Inst Microsyst & Solid State Techn Hansastr 27d D-80686 Munich Germany|Univ Bundeswehr Munchen Inst Phys Werner Heisenberg Weg 39 D-85577 Neubiberg Germany;
机译:微波检测的光感应电流瞬态光谱法(MD-PICTS)和微波检测的光导率(MDP)表征半导体中的非接触电缺陷
机译:TI6I4S单晶中深层缺陷的光诱导电流瞬态光谱表征
机译:光诱导电流瞬变光谱和光致发光研究 6 sup> LiInSe2中子探测器的缺陷
机译:利用光感应电流瞬态光谱法表征III-V量子结构太阳能电池的缺陷
机译:电子束诱导的电流显微镜和深层瞬态光谱法表征多晶硅。
机译:自组装分子单层膜对磷掺杂硅的深层瞬态光谱研究
机译:使用深能级瞬态光谱(DLTs)和Laplace-DLTs(LDLTs)通过3keV ar溅射在sb掺杂Ge中引入缺陷的表征
机译:用中子效应分析研究中子嬗变掺杂硅:镓的缺陷