National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST) Takasaki Gunma 370-1292 Japan;
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba Ibaraki 305-8568 Japan;
Japan Aerospace Exploration Agency (;
Electron traps; Photovoltaic cells; Degradation; Radiation effects; Transient analysis; Gallium arsenide; PIN photodiodes;
机译:TI6I4S单晶中深层缺陷的光诱导电流瞬态光谱表征
机译:P3HT的陷阱能级:具有PICTS的PCBM-71体异质结太阳能电池(光致电流瞬态光谱法)
机译:热电效应光谱和光感应电流瞬态光谱研究CdTe材料中的深层缺陷
机译:使用深能级瞬态光谱法表征CdS / CdTe薄膜太阳能电池中的深层缺陷
机译:用于III-V材料太阳能电池的砷化铟量子点的优化与表征
机译:量子点表征中的深层瞬态光谱
机译:使用深层瞬态光谱法(DLTS)技术研究InGaAs量子线中带太阳能电池中的电活性缺陷
机译:瞬态电容光谱法检测太阳能电池中加工和辐射诱导的缺陷。