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机译:应变铁电薄膜畴壁上具有p-n结的石墨烯通道中的整数量子霍尔效应
Natl Acad Sci Ukraine, V Lashkariov Inst Semicond Phys, Pr Nauky 4-1, UA-03028 Kiev, Ukraine|Taras Shevchenko Kyiv Natl Univ, Radiophys Fac, Pr Akad Hlushkova 4g, UA-03022 Kiev, Ukraine;
Natl Acad Sci Ukraine, V Lashkariov Inst Semicond Phys, Pr Nauky 4-1, UA-03028 Kiev, Ukraine;
Natl Acad Sci Ukraine, Inst Phys, Pr Nauky 46, UA-03028 Kiev, Ukraine|Natl Acad Sci Ukraine, Bogolyubov Inst Theoret Phys, 14-B Metrolohichna Str, UA-03680 Kiev, Ukraine;
机译:图石墨烯通道中的整数量子霍尔效应,在应变铁电薄膜中的畴壁下的P-n结
机译:铁电畴壁上带有p-n结的石墨烯通道的弹道电导率
机译:Quantum Hall电阻镖镖器,使用石墨烯P-n结装置与Corbino几何形状
机译:基于应变扶手椅石墨烯纳米对P-N结的电子隧道电流建模,延伸紧密结合和转移矩阵法
机译:整数量子霍尔系统中的输运和自旋假旋畴壁。
机译:在(110)TbScO3上生长的应变K0.75Na0.25NbO3外延膜中的铁电畴扫描X射线纳米衍射
机译:图石墨烯通道中的整数量子霍尔效应,在应变铁电薄膜中的畴壁下的P-n结