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机译:CO和CO_2分子退火对SiC热氧化形成非晶SiO_2中氧空位缺陷密度的影响
Nagoya Univ, Grad Sch Engn, Nagoya, Aichi 4648603, Japan;
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机译:通过薄非晶Ge氧化和热退火形成的Si衬底上的热SiO_2门控Ge金属氧化物半导体电容器
机译:使用成型气体退火改善SiO_2 / 4H-SIC接口缺陷密度
机译:从头算理论研究4H-SiC(0001)/ SiO_2界面上的氧空位缺陷
机译:通过4H和6H多型,通过电子顺磁共振光谱(EPR)研究了SiC / SiO_2中的界面和氧化物缺陷。在干氧中1000°C炉氧化产生的两个顺磁缺陷
机译:钙钛矿氧化物结构中氧空位和缺陷配合物的动力学。
机译:通过金属/氧化物界面处的氧空位控制热稳定的基于非晶氧化物的肖特基二极管
机译:用CO和CO2分子退火对SiC热氧化形成的无定形SiO2中氧空位缺陷密度的影响