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机译:GaN基金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管在关态退化过程中场相关载流子陷阱的演变
机译:GaN基金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的栅极介电层中的大量和界面陷阱
机译:交流跨导法研究HfO
机译:交流跨导法研究HfO_2 / AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管中的栅氧化物陷阱
机译:断态应力期间AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电场驱动降解
机译:辐照损伤对GaN基金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管和β-GA2O3的影响
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的截止态退化的时间演化