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机译:利用低频噪声技术研究嵌入GaAs层的InAs量子点诱导的单电子陷阱
Department of Physics, University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
机译:嵌入InAs量子点的GaAs层中在光激发电子空穴等离子体中引起的声等离子体振荡
机译:GaAs_(1-x)Sb_x / GaAs复合衬底上单层/多层自组装InAs量子点的研究
机译:具有嵌入式InAs量子点的Au / n-GaAs肖特基二极管中的应力诱导局部陷阱能级
机译:通过低频噪声测量评估具有InAs量子点层的GaAs激光二极管的质量
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:InAs / GaAs量子点尺寸研究:取决于应变减小层的位置
机译:嵌入Inas / Gaas量子点的电子共振隧穿 具有alas插入层的肖特基二极管