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机译:应变Si1-xCx合金中的孔有效质量
Natl Chung Hsing Univ, Dept Phys, Taichung 40227, Taiwan;
SI1-YCY ALLOYS; BAND-STRUCTURE; SIGE ALLOYS; MOBILITY; SUBSTRATE; LAYERS; PHOTOLUMINESCENCE; HETEROSTRUCTURES; GROWTH;
机译:压缩应变锗通道结构中空穴有效质量的空穴密度和应变相关性
机译:(110)和(111)Si衬底上的应变Si_(1-x)Ge_x合金中的p型金属氧化物半导体反型层的空穴有效质量
机译:各种双轴应变葛半导体之间的孔有效质量的比较
机译:孔有效质量的应变Ge_(1-x)Sn_x合金P沟道量子阱MOSFET在(001),(110)和(111)GE基板上
机译:具有自洽价子带结构和高k绝缘体的应变锗和钒III p沟道反型层中的空穴迁移率。
机译:低孔有效质量p型透明导电氧化物的识别与设计原理
机译:应变锗通道调制掺杂异质结构中有效质量,迁移率和传输时间的空穴密度依赖性
机译:压缩应变InxGa1-xsb量子阱中shubnikov-de Haas振荡和孔有效质量测量的研究