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机译:Si衬底上生长的Ge外延层中应变诱导的近红外吸收增强
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Japan;
机译:在GaSb衬底上生长的GaSbBi外延层的带隙红外吸收特性的研究
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:在4H-SiC衬底上生长的几层外延石墨烯的光吸收和拉曼散射研究
机译:利用迁移增强和分子束外延在硅衬底上生长的外延GaP层
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:在绝缘体上硅衬底上的纳米结构Si岛上外延生长的Ge点的X射线表征
机译:LPCVD生长的Si / Si1-XGex层的基材/外延界面的研究