机译:金属有机化学气相沉积在图案化Si(111)上生长的GaN薄膜中应力分布的微拉曼散射研究
Department of Electrical and Electronic Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong;
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的(111)Si上的GaN膜中的生长应力和裂纹。 Ⅰ。 AIN缓冲层
机译:在图案化Si(111)衬底上生长的GaN薄膜中的应力分布及其对LED性能的影响
机译:脉冲源金属有机化学气相沉积法生长HfO_2薄膜的原位实时光谱椭偏研究
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的高质量GaN薄膜的生长优化
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:金属化学 - 气相沉积Ga-Face and N-Face GaN膜的带弯曲的表征
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日