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机译:用单能正电子束探测SiGe / Si结构上沉积的应变Si层中的空位型缺陷
Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan;
机译:通过单元质正电子束探测的SiO_2 / GaN结构中的空隙和空位型缺陷
机译:单能正电子束探测Al_2O_3 / GaN结构中的空位缺陷
机译:用单能正电子束探测等离子体辅助分子束外延生长的Si掺杂InN中的空位型缺陷
机译:单能正电子束探测气体团簇离子注入硅中引入的空位型缺陷
机译:超重核碰撞产生的单能正电子和相关电子。
机译:用同位素多层结构研究GeSi和SiGe中离子束诱导的原子混合
机译:用单能正电子束探测氨基分子束外延生长的Mg掺杂GaN中的空位型缺陷