机译:使用AlGaN合金中的激子发光跃迁确定GaN和AlN之间的能带偏移
机译:关于“第一AlN和第二GaN层对AlGaN / 2nd AlN / 2nd GaN / 1st AlN / 1st GaN结构的性能的影响”的评论
机译:第一AlN和第二GaN层对AlGaN / 2ndAlN / 2ndGaN / 1stAlN / 1stGaN结构的性能的影响
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:基于反转域的GaN / AlGaN纳米结构中的窄线泻药发光
机译:AlN,GaN及其合金的金属有机气相沉积。
机译:(AlN)m /(GaN)n超晶格中MgGaδ掺杂降低高Al含量AlGaN合金中Mg活化能的实验证据
机译:使用AlGaN合金中的激子发光跃迁确定GaN和AlN之间的能带偏移