机译:Pb_xSr_(1-x)TiO_3及其在高取向LaNiO_3缓冲Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上生长的成分渐变薄膜的铁电性能
机译:在Pt / LaNiO_3 / SiO_2 / Si衬底上生长的高度(110)取向的Pb(Zr_(0.40)Ti_(0.60))O_3薄膜的铁电和热电性质
机译:通过化学溶液沉积在LaNiO_3 /γ-Al_2O_3/ Si衬底上生长的(100)取向(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3薄膜的介电和铁电性能
机译:利用导电硝酸镧镍缓冲层在Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上生长的高取向Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的铁电和压电特性
机译:使用LaNiO_3作为缓冲层在Pt / Ti / SiO_2 / Si上低温制备高度(001)取向的PZT薄膜
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:硅衬底上生长的001取向的Pr3 +掺杂的Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3铁电纳米膜的合成巨电介质和热电响应
机译:在PbZrO3缓冲的Pt / Ti / SiO2 / Si衬底上组成渐变的Pb(Zr xTi1-x)O3薄膜的生长和电性能