Spin transfer torque in current-perpendicular-to-plane multilayer structure induced by spin relaxation in the capping layer

S. Bala Kumar; S. G. Tan; M. B. A. Jalil; J. Guo; E. Girgis; Yong Jiang

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Spin transfer torque in current-perpendicular-to-plane multilayer structure induced by spin relaxation in the capping layer

机译：覆盖层中自旋弛豫引起的电流垂直于平面多层结构中的自旋传递扭矩

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We study the effect of spin relaxation (SR) in the capping layer on spin-injection (SI) efficiency and spin torque (Γ) in a current-perpendicular-to-plane multilayer device comprising fixed(FM1)-spacer(NM1)-free(FM2)-capping(NM2) layers. In spin transfer

机译：我们研究了在包含固定（FM1）-间隔物（NM1）-的电流垂直于平面的多层器件中，覆盖层中的自旋弛豫（SR）对自旋注入（SI）效率和自旋扭矩（Γ）的影响自由（FM2）上限（NM2）层。旋转转移

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来源
《Journal of Applied Physics》 |2008年第2期|113-115|共3页
作者
S. Bala Kumar; S. G. Tan; M. B. A. Jalil; J. Guo; E. Girgis; Yong Jiang;
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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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