机译:Mnδ层掺杂的GaN / AIN / GaN(0001)隧道结的第一性原理研究
School of Physics, The University of Sydney, New South Wales 2006, Australia;
Paul Scherrer Institut, WHGA/123, CH-5232 Villigen PSI, Switzerland;
Department of Physics and Astronomy, Northwestern University, Evanston, Illinois 60208-3112, USA;
School of Physics, The University of Sydney, New South Wales 2006, Australia;
机译:根据第一性原理计算的GaN:Mn / AIN / GaN:Mn(0001)结中的隧道电导
机译:基于第一原理的三层结中的隧道磁阻:Crδ层掺杂的GaN / AlN / GaN(0001)
机译:AIN / GAN纳米柱的选择性区域生长(0001)和(11-22)GAN / SAPPHIRE用于半极性和非极性AIN伪模板
机译:结势垒肖特基二极管,由在GaN衬底上生长的非常薄的高Mg掺杂p-GaN(20 nm)/ n-GaN层制成
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:用扫描隧道显微镜和第一性原理研究w-GaN(0001̄)上锰的3×3和√3×√3-R30º结构及结构相变
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应