机译:量子约束对AIGaN / GaN异质结构二维电子气中有效质量的影响
Institut fuer Bio- und Nanosysteme and Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI), Forschungszentrum Juelich, Juelich D-52425, Germany;
Institut fuer Bio- und Nanosysteme and Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI), Forschungszentrum Juelich, Juelich D-52425, Germany;
Institut fuer Bio- und Nanosysteme and Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI), Forschungszentrum Juelich, Juelich D-52425, Germany;
Institut fuer Bio- und Nanosysteme and Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI), Forschungszentrum Juelich, Juelich D-52425, Germany;
Institut fuer Bio- und Nanosysteme and Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI), Forschungszentrum Juelich, Juelich D-52425, Germany;
Centre de Recherche sur I'Heteroepitaxie et ses Applications, CNRS, rue Bernard Gregory, F-06560 Valbonne, France;
Institute of Semiconductor Physics, NASU, Pr. Nauki 45, 03028 Kiev, Ukraine;
Institute of Semiconductor Physics, NASU, Pr. Nauki 45, 03028 Kiev, Ukraine;
机译:栅电子AIGaN / GaN和AIGaN / AIN / GaN异质结构中二维电子气的固有迁移率受到限制
机译:AIGaN / GaN异质结构中二维电子气中的弱抗局部化和量子散射时间
机译:2 nm低温GaN隔离层,可改善AIGaN / lnAIN / AIN / AIN / GaN异质结构中二维电子气的传输性能
机译:IngaAsn / Gaassb II型量子阱中二维电子的有效质量的退火对
机译:砷化铟镓量子柱和砷化镓量子阱中的量子限制,电子-电子相互作用和太赫兹辐射之间的相互作用。
机译:在基于纤锌矿GaN的量子阱异质结构中通过具有高群速度的界面光子进行电子散射
机译:量子约束对AlGaN / GaN异质结构二维电子气中有效质量的影响