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机译:直接硅键合(110)/(100)基底的界面结构和吸杂效率的分子模拟
Department of System Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan;
rnDepartment of System Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan Covalent Materials Co., Ltd., Higashikou, Seirou-machi, Kitakanbara-gun, Niigata 957-0197, Japan;
rnCovalent Materials Co., Ltd., Higashikou, Seirou-machi, Kitakanbara-gun, Niigata 957-0197, Japan;
rnDepartment of System Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan;
机译:Si(110)/(100)直接键合杂化晶体取向衬底的界面结构和吸杂效率的分子模拟
机译:Si(110)/ Si(100)直接键合杂化晶体取向基板的吸杂效率
机译:Si(110)/(100)直接键合杂化晶体取向衬底的吸杂效率
机译:Si(110)/(100)直接粘合混合晶体取向基材上的界面结构和吸收效率的分子模拟
机译:二氧化钛(110)表面和硅(100)/二氧化硅界面的第一原理理论研究。
机译:CMOS图像传感器的暗电流光谱法对碳氢化合物分子离子注入的硅晶片进行吸杂设计
机译:si(110)/(100)直接键合的混合晶体取向基板的吸杂效率
机译:使用Lennard-Jones电位的fcc(100),(110)和(111)表面的声子。分子动力学模拟与板坯技术计算的比较