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机译:使用晶圆上监测技术预测实际等离子体蚀刻过程中的紫外线光谱和紫外线辐射损伤
Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
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机译:使用晶圆上监测技术预测实际等离子体蚀刻过程中的紫外线光谱和紫外线辐射损伤
机译:原子层蚀刻过程中损伤最小化离子能量分布的晶圆监测和控制
机译:利用晶圆监测技术和计算机仿真预测由于大规模三维结构周围离子鞘变形引起的刻蚀形状异常
机译:外紫外线辐射下粒子中的粒子
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:垂直和斜面结构的SiC蚀刻技术结合了用于各种微电子应用的不同混合气体等离子体
机译:在微泵制造工艺中Si干蚀刻期间对聚酰亚胺隔膜的损伤造成的损伤
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。