...
机译:单壁半导体碳纳米管的台阶边缘刻面和局部金属化
Aix-Marseille University, IM2NP, CNRS UMR 6242, Campus de Saint-Jerome, Case 142, F-13397 Marseille Cedex 20, France,RIKEN Advanced Science Institute, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan;
RIKEN Advanced Science Institute, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan;
RIKEN Advanced Science Institute, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan,Department of Advanced Materials Science, The University of Tokyo, Chiba 277-8561, Japan;
机译:无金属金属和半导体单壁碳纳米管的选择性生长
机译:半导体单壁碳纳米管中相干驱动的局部激子的动力学
机译:混合半导体和金属单壁碳纳米管束的塞贝克系数的温度依赖性
机译:电泳法分离单壁碳纳米管的半导体和金属类型
机译:氧化镁催化剂和金属插层单壁碳纳米管的电子性质的理论研究。
机译:更正:具有窄带隙分布的半导体单壁碳纳米管的生长
机译:交叉结中半导体碳纳米管的局部压力诱导金属化