机译:致力于研究新型闪存无序纳米晶体浮栅的单个纳米晶体的数值模型
Institut d'Electronique du Solide et des Systemes (InESS), Universite de Strasbourg/CNRS, ENSPS, Pole API,Bvd Sebastien Brant, Pare d'Innovation, BP 10413, F-67412 ILLKIRCH, France;
Institut d'Electronique du Solide et des Systemes (InESS), Universite de Strasbourg/CNRS, ENSPS, Pole API,Bvd Sebastien Brant, Pare d'Innovation, BP 10413, F-67412 ILLKIRCH, France;
Institut d'Electronique du Solide et des Systemes (InESS), Universite de Strasbourg/CNRS, ENSPS, Pole API,Bvd Sebastien Brant, Pare d'Innovation, BP 10413, F-67412 ILLKIRCH, France;
机译:无序纳米晶体浮栅存储器的纳米晶体之间的静电耦合建模
机译:以金属浮栅/金属纳米作为电荷存储层的闪存设备:状态回顾
机译:具有纳米晶体浮栅的垂直闪存单元,可实现超高密度集成和良好的保留
机译:量子闪存中基于硅纳米晶的浮栅的充电模型
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:用于硅纳米晶浮栅存储器的基于Hf的高k材料
机译:作为非易失性闪存的浮栅自组装Sn纳米晶