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机译:电压偏置对PZT / terfenol-D / PZT层压板的逆磁电效应的影响
Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California, Los Angeles,California 90095, USA;
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机译:无磁场偏置的PZT / FeCuNbSiB / FeGa / FeCuNbSiB / PZT叠层中的巨大逆磁电效应
机译:低水平预应力对Terfenol-D / PZT / Terfenol-D层状复合结构共振磁电耦合的影响
机译:场取向对Terfenol-D / PZT / Terfenol-D叠层结构中磁电耦合的影响
机译:直流电压偏置对PZT / TERFENOL-D / PZT层状复合材料中反电动势的影响
机译:模拟由薄板上的粘合PZT引起的Lamb波传播。
机译:考虑新的界面耦合因子的盘形Terfenol-D / PZT层状复合材料的低频磁电效应等效电路模型
机译:考虑新界面耦合因子的盘式Terphenol-D / pZT层合板中低频磁电效应的等效电路模型
机译:Terfoneol-D / pZT复合传感器磁电压系数的理论分析