机译:低水平预应力对Terfenol-D / PZT / Terfenol-D层状复合结构共振磁电耦合的影响
Department of Mechanics, School of Aerospace Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, People's Republic of China;
Department of Mechanics, School of Aerospace Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, People's Republic of China;
机译:Terfenol-D / PZT / Terfenol-D复合材料中磁电耦合的双峰现象
机译:场取向对Terfenol-D / PZT / Terfenol-D叠层结构中磁电耦合的影响
机译:考虑新的界面耦合因子的盘形Terfenol-D / PZT层状复合材料的低频磁电效应等效电路模型
机译:Terfenol-D / PZT / Terfenol-D层压磁电复合材料的逆磁电系数
机译:Terfenol-D复合材料的阻尼特性。
机译:考虑新的界面耦合因子的盘形Terfenol-D / PZT层状复合材料的低频磁电效应等效电路模型
机译:考虑新界面耦合因子的盘式Terphenol-D / pZT层合板中低频磁电效应的等效电路模型
机译:TERFENOL-D层压工艺成本降低,选项1