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机译:等离子体增强原子层沉积法对氨等离子体和AIN钝化的比较
Department of Micro and Nanosciences, Aalto University, P.O. Box 13500, FI-00076 Aalto, Finland;
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机译:等离子体增强原子层沉积法对氨等离子体和AlN钝化的比较
机译:通过等离子增强原子层沉积进行的AIN钝化,用于GaN基功率开关和功率放大器
机译:SiN-AIN复合材料的等离子体增强原子层沉积,用于氢氟酸中的超低湿蚀速率
机译:等离子增强原子层沉积在室温下沉积铜种子层
机译:用于直接板衬和铜扩散阻挡层应用的钌-氮化钛混合相层的等离子体增强原子层沉积。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:等离子体增强原子层沉积法对氨等离子体和AlN钝化的比较