机译:出版商注:“通过使用不同铟的InGaN / AIGaN超薄超晶格势垒来减少InGaN量子阱中的内部极化场” [J.应用物理110,123108(2011)]
Department of Physics, Chungnam National University, Daeduk, South Korea,IV Works Co., Ltd., Ansan, South Korea;
Department of Physics, Chungnam National University, Daeduk, South Korea;
Department of Electrical and Communication Engineering, Hanyang University, Ansan, South Korea;
机译:通过铟组成不同的InGaN / AIGaN超薄超晶格势垒减少InGaN量子阱中的内部极化场
机译:发行人注:“具有AIGaN势垒和特殊设计的电子阻挡层的蓝色发光二极管的性能增强” [J.应用物理110,093104(2011)]
机译:发行人注:“通过分子束外延生长具有高内部量子效率的基于AIGaN的深紫外发光二极管” [Appl。物理来吧98,081110(2011)]
机译:内场和铟表面偏析影响下的InGaN / GaN量子阱的能带结构
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:出版商注:“来自Semipolar的高光学偏振率((202¯1))蓝绿IngaN / GaN发光二极管”Appl。物理。吧。 99,051109(2011)