首页> 外文期刊>Journal of Applied Physics >Publisher's Note: 'Reduction of internal polarization fields in InGaN quantum wells by InGaN/AIGaN ultra-thin superlattice barriers with different indium' [J. Appl. Phys. 110,123108(2011)]
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Publisher's Note: 'Reduction of internal polarization fields in InGaN quantum wells by InGaN/AIGaN ultra-thin superlattice barriers with different indium' [J. Appl. Phys. 110,123108(2011)]

机译:出版商注:“通过使用不同铟的InGaN / AIGaN超薄超晶格势垒来减少InGaN量子阱中的内部极化场” [J.应用物理110,123108(2011)]

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摘要

This article was originally published online on December 29, 2011 without the corresponding author's e-mail address. The American Institute of Physics apologizes for this error. All online versions of the article were corrected on January 6, 2012.
机译:本文最初于2011年12月29日在线发布,没有相应作者的电子邮件地址。美国物理学会对此错误表示歉意。本文的所有在线版本均已在2012年1月6日得到更正。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2012年第3期|p.039901.1|共1页
  • 作者单位

    Department of Physics, Chungnam National University, Daeduk, South Korea,IV Works Co., Ltd., Ansan, South Korea;

    Department of Physics, Chungnam National University, Daeduk, South Korea;

    Department of Electrical and Communication Engineering, Hanyang University, Ansan, South Korea;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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