机译:发行人注:“具有AIGaN势垒和特殊设计的电子阻挡层的蓝色发光二极管的性能增强” [J.应用物理110,093104(2011)]
Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China;
Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China;
机译:发行者注:“通过特殊设计的AIGaN / GaN超晶格电子阻挡层增强了蓝色发光二极管的性能” [Appl。物理来吧99,221103(2011)]
机译:发行人的注释:“通过特殊设计的AlGaN / GaN超晶格电子阻挡层增强蓝色发光二极管的性能” [Appl。物理来吧99,221103(2011)]
机译:具有AIGaN势垒和特殊设计的电子阻挡层的蓝色发光二极管的性能增强
机译:聚合物发光二极管中空穴传输层-发射层界面处的电子阻挡机理。新型电子阻挡夹层增强了器件性能
机译:具有无机掺杂的空穴传输层的有机发光二极管的性能增强。
机译:出版者注:蛋白质在反向胶束环境中的折叠:限制和脱水的作用 J.化学物理134055107(2011)
机译:出版商注:“来自Semipolar的高光学偏振率((202¯1))蓝绿IngaN / GaN发光二极管”Appl。物理。吧。 99,051109(2011)