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Publisher's Note: 'Performance enhancement of blue light-emitting diodes with AIGaN barriers and a special designed electron-blocking layer' [J. Appl. Phys. 110, 093104 (2011)]

机译:发行人注:“具有AIGaN势垒和特殊设计的电子阻挡层的蓝色发光二极管的性能增强” [J.应用物理110,093104(2011)]

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摘要

This article was originally published online on 3 November 2011 with an incorrect affiliation designation. The authors were linked to "Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong" instead of Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China." All online versions of the article were corrected on 6 July 2012. The names and affiliation of the authors appear correctly above.
机译:本文最初于2011年11月3日在线发布,并带有错误的从属名称。作者链接到“香港科技大学电子与计算机工程系,香港九龙”,而不是华南师范大学光电材料与技术研究所,广东广州510631。该文章的在线版本已于2012年7月6日得到更正。作者的名字和所属机构正确显示在上方。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2012年第2期|p.029905.1|共1页
  • 作者

    Yun-Yan Zhang; Guang-Rui Yao;

  • 作者单位

    Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China;

    Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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