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机译:预图案化衬底的非平面形态对嵌入的位控InAs量子点的结构和电子性能的影响
Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, FIN-33101 Tampere,Finland;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, FIN-33101 Tampere,Finland;
Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, FIN-33101 Tampere,Finland;
Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, FIN-33101 Tampere,Finland;
机译:预图案化衬底的非平面形态对嵌入的位控InAs量子点的结构和电子性能的影响
机译:预先形成图案的GaAs衬底上位控InAs量子点的分子束外延生长
机译:用于中红外应用的II型Inas_xsb_(1-x)/ inas量子点:形态和组成对电子和光学性质的影响
机译:基板温度变化对自组装INAS量子点的结构和光学性质的影响
机译:自组装InAs量子点的电子结构和光学性质。
机译:GaAs衬底取向对InAs量子点的影响:表面形态临界厚度和光学性质
机译:量子点尺寸依赖于衬底取向对衬底取向的影响 Inas / Gaas量子点的电子和光学性质