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机译:使用一次分析连续技术对n型纳米线晶体管中的声子散射进行建模
IM2NP, UMR CNRS 7334, Bat. IRPHE, 13384 Marseille, France;
IM2NP, UMR CNRS 7334, Bat. IRPHE, 13384 Marseille, France;
IM2NP, UMR CNRS 7334, Bat. IRPHE, 13384 Marseille, France;
IM2NP, UMR CNRS 7334, Bat. IRPHE, 13384 Marseille, France;
IM2NP, UMR CNRS 7334, Bat. IRPHE, 13384 Marseille, France;
机译:n型双栅场效应晶体管中声子散射的单次电流守恒量子传输模型
机译:n型双栅场效应晶体管中声子散射的单次电流守恒量子传输模型
机译:具有底栅结构的耗尽型n型纳米线场效应晶体管的紧凑型分析电流传导模型
机译:碳纳米管和硅纳米线场效应晶体管中声子散射的非弹道建模传输
机译:半导体纳米线中的光-物质相互作用:光效应晶体管以及电子-声子耦合和电特性的光诱导变化。
机译:声子表面散射对Si和SiGe纳米线热能分布的影响
机译:模拟碳纳米管和硅纳米线场效应晶体管中声子散射的影响
机译:phonon有限的III-V纳米线晶体管性能