机译:高电流密度时本征半导体和绝缘体中的传输现象:中性线漂移的抑制
All-Russia Electrotechnical Institute, Krasnokazarmennaya 12,111250 Moscow, Russia;
The Ioffe Physico-Technical Institute, Politekhnicheskaya 26,194021 St. Petersburg, Russia;
All-Russia Electrotechnical Institute, Krasnokazarmennaya 12,111250 Moscow, Russia;
All-Russia Electrotechnical Institute, Krasnokazarmennaya 12,111250 Moscow, Russia;
机译:高电流密度时本征半导体和绝缘体中的传输现象:中性线漂移的抑制
机译:使用超薄介电阻挡层抑制暗电流的横向非晶态硒金属绝缘体,半导体,绝缘体,金属光电探测器
机译:具有多个局部多级本征/杂质缺陷的半导体的局部电荷中性条件,费米能级和多数载流子密度
机译:不均匀性对确定绝缘子和宽带隙半导体中载流子的态密度的影响
机译:磁掺杂半导体和磁绝缘子中的磁和自旋输运
机译:基于非接触微波技术的绝缘子-半导体界面本征载流子传输的评估
机译:具有分子绝缘子的金属-绝缘体-半导体结中电流密度和导纳的温度依赖性
机译:镜像机中高频密度梯度驱动模式的非线性相互作用。 I.通过下混合漂移湍流抑制漂移 - 回旋加速器不稳定性