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机译:Ni诱导的横向结晶过程中电场对非晶硅薄膜的影响
Nana Device Laboratory, Sejong University, 98 Gunja-Dong, Gwangjin-gu, Seoul 143-747, South Korea;
Nana Device Laboratory, Sejong University, 98 Gunja-Dong, Gwangjin-gu, Seoul 143-747, South Korea;
School of Materials Science and Engineering, Seoul National University, San 56-1, Shinrim-Dong, Kwanak-gu, Seoul 151-742, South Korea;
机译:Ni诱导的横向结晶过程中电场对掺杂非晶硅薄膜的影响
机译:扩展热处理对Ni诱导非晶硅薄膜横向结晶的影响
机译:电场对金属诱导的非晶硅薄膜横向结晶的影响
机译:磁场对使用金属诱导的横向结晶无定形Si薄膜结晶过程的影响。
机译:外延硅薄膜是由低温铝引起的非晶硅的结晶。
机译:通过PECVD在镍金属化多孔硅上沉积的非晶硅薄膜的结晶
机译:延伸热处理对Ni诱导非晶硅薄膜横向结晶的影响