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机译:Ti-CuO /(六氟-六-per /-六苯并二茂铁)-Cu杂化界面器件的双极阻性开关特性:有机层电子性质的影响
Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India;
Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India;
Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India;
Surface Physics Group, National Physical Laboratory (CSIR), New Delhi-110012, India;
Max-Planck Institute for Polymer Research, D-55128 Mainz, Germany;
Max-Planck Institute for Polymer Research, D-55128 Mainz, Germany;
Max-Planck Institute for Polymer Research, D-55128 Mainz, Germany;
机译:氧化铜-多层石墨烯杂化界面中的电子相互作用和双极电阻切换:石墨烯作为氧离子存储和阻挡层
机译:用于电子突触的溅射沉积的基于ZnSNO的装置的双极,互补电阻切换和突触特性
机译:界面层工程对基于ZrO 2 sub>的电阻开关器件的电阻开关特性的影响
机译:氧含量和覆盖金属层对基于HfO
机译:用于有机/无机混合电子设备的氮化镓和氧化锌的表面化学性质和电子性质
机译:双层Cu2O / Al2O3电阻开关器件的多层电池特性
机译:氧化铜 - 多层石墨烯混合界面中的电子相互作用和双极电阻转换:石墨烯作为氧离子存储和阻挡层 ud