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机译:用于电子突触的溅射沉积的基于ZnSNO的装置的双极,互补电阻切换和突触特性
Dongguk Univ Div Elect &
Elect Engn Seoul 04620 South Korea;
Dongguk Univ Div Elect &
Elect Engn Seoul 04620 South Korea;
Hanyang Univ Div Mat Sci &
Engn Seoul 04763 South Korea;
Hanyang Univ Div Mat Sci &
Engn Seoul 04763 South Korea;
Dongguk Univ Div Elect &
Elect Engn Seoul 04620 South Korea;
Impact of active electrodes; Effect of current compliance limitations; Complementary resistive switching; Synaptic plasticity; Neuromorphic computing; Filamentary switching;
机译:基于石墨烯的双极多电平电阻切换装置的互补电阻切换的互连
机译:氧化钨/氧化铟锡/金记忆装置中的氧离子迁移调制的双极电阻和互补电阻切换
机译:溅射技术制备的双层V_2O_5 / Sm_2O_3薄膜电阻式随机存取存储器件的双极开关特性
机译:溅射沉积的SiO2膜的稳定单极和双极电阻跃迁
机译:金属电极镨钙锰三氧化钙界面双极场诱导电阻切换的载体跳跃机制
机译:具有金纳米粒子的氧化石墨烯器件中的非极性和互补电阻切换特性:器件制造的多种方法
机译:TA / Taox / ALN / PT双极电阻存储器的快速开关速度和电子突触的实现
机译:最终技术报告,使用sTZm,Ups和pEs测量沉积和气相团簇的互补电子结构特性:表面尺寸选择的团簇,包含日期:2009年2月1日至2013年11月30日