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【2h】

Realization of fast switching speed and electronic synapse in Ta/TaOx/AlN/Pt bipolar resistive memory

机译：TA / Taox / ALN / PT双极电阻存储器的快速开关速度和电子突触的实现

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Gang Cao; Xiaobing Yan; Jingjuan Wang; Zhenyu Zhou; Jianzhong Lou; Kaiyou Wang;
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年度 2020
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1. Realization of fast switching speed and electronic synapse in Ta/TaOx/AlN/Pt bipolar resistive memory [J] . Gang Cao, Xiaobing Yan, Jingjuan Wang, AIP Advances . 2020,第5期

机译：TA / Taox / ALN / PT双极电阻存储器的快速开关速度和电子突触的实现
2. The effect of high resistivity AlO delta layer on low-power consumption of TaOx based resistive switching memory [J] . Zhao Jin Shi, Wang Chen, Yan Yu, Vacuum: Technology Applications & Ion Physics: The International Journal & Abstracting Service for Vacuum Science & Technology . 2020,第1期

机译：高电阻率ALO DELTA层对基于Taox基电阻切换存储器低功耗的影响
3. Bipolar, complementary resistive switching and synaptic properties of sputtering deposited ZnSnO-based devices for electronic synapses [J] . Ismail Muhammad, Mahata Chandreswar, Abbas Haider, Journal of Alloys and Compounds: An Interdisciplinary Journal of Materials Science and Solid-state Chemistry and Physics . 2021,第1期

机译：用于电子突触的溅射沉积的基于ZnSNO的装置的双极，互补电阻切换和突触特性
4. Investigation of resistive switching in bipolar TaOx-based resistive random access memory [C] . Zhuo V.Y.-Q., Jiang Y., Sze J.Y., . 2013

机译：基于双极TaOx的电阻式随机存取存储器中的电阻切换研究
5. A carrier hopping mechanism for bipolar field induced resistive switching in metal electrode-praseodymium calcium manganese trioxide interfaces [D] . Tsui, Stephen Alan 2008

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6. Exploring oxygen-affinity-controlled TaN electrodes for thermally advanced TaOx bipolar resistive switching [O] . Taeyoon Kim, Gwangho Baek, Seungmo Yang, -1

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7. Bipolar resistive switching of bi-layered Pt/Ta2O5/TaOx/Pt RRAM : physics-based modelling, circuit design and testing [O] . Hatem Firas Odai 100

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