...
机译:金属混合对Mo(100)/ GaAs(100)界面肖特基势垒的影响
Department of Physics and Astronomy, University College London, Gower Street, London, WC1E 6BT, United Kingdom;
Department of Physics and Astronomy and London Centre for Nanotechnology, University College London, Gower Street, London, WC1E 6BT, United Kingdom,Fundamental and Computational Sciences Directorate, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, WA 99352, USA;
机译:金属混合对Mo(100)/ GaAs(100)界面肖特基势垒的影响
机译:p金刚石(100)肖特基界面的肖特基势垒高度和热稳定性
机译:使用高分辨率X射线衍射在MOVPE生长的自发Al_xGa_(1-x)As / GaAs(100)超晶格结构中的界面混合和互扩散特性
机译:具有几乎相同的肖特基势垒高度的1.2kV,100A,4H-SiC(0001)和(000-1)结势垒肖特基二极管的制造
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:石墨烯/金属氧化物界面的肖特基势垒:第一性原理计算的见解
机译:金属混合对Mo(100)/ GaAs(100)界面肖特基势垒的影响
机译:通过保护性砷涂层的热解吸制备的Gaas(100)表面上的au和al肖特基势垒形成