...
机译:薄膜太阳能电池吸收体-缓冲层界面处的混合:Cu(In,Ga)(Se,S)_2和Cu_2ZnSn(Se,S)_4器件中点缺陷的电子效应
Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, California 94550, USA;
Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, California 94550, USA;
机译:薄膜太阳能电池吸收体-缓冲层界面处的混合:Cu(In,Ga)(Se,S)
机译:退火诱导的混合对In2S3 / Cu(In,Ga)Se-2薄膜太阳能电池界面电子能级对准的影响
机译:原子层沉积氧化铝,用于Cu_2ZNSN(SE,SE)_4薄膜太阳能电池的界面钝化
机译:从水 - 乙醇基油墨喷涂的Cu_2zNSN(SE,SE)_4太阳能电池的主损失机制的研究:降低缺损密度,达到效率接近10%
机译:基于铜铟二硒化物的薄膜太阳能电池的替代缓冲层,器件建模和特性表征。
机译:碱沉积后处理引起的化学和电子变化Cu(InGa)Se2薄膜太阳能电池吸收体的结构:第一性原理
机译:RB在多晶Cu(In,Ga)Se2层中的扩散和Rb对Cu(In,Ga)SE2薄膜太阳能电池太阳能电池参数的影响