机译:GaN异质结构场效应晶体管结构中的电荷移动,在施加衬底偏置的情况下,碳掺杂的缓冲液
Center for Device Thermography and Reliability, H.H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, United Kingdom,IQE (Europe) Ltd., Pascal Close, St. Mellons, Cardiff CF3 0LW, United Kingdom;
Center for Device Thermography and Reliability, H.H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, United Kingdom;
Center for Device Thermography and Reliability, H.H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, United Kingdom;
IQE (Europe) Ltd., Pascal Close, St. Mellons, Cardiff CF3 0LW, United Kingdom;
Center for Device Thermography and Reliability, H.H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, United Kingdom;
机译:高压超结GaN基垂直异质结场效应晶体管的不均匀掺杂缓冲抑制电荷不平衡效应的理论研究
机译:高压超结甘氏垂直异界型近晶体管具有不均匀掺杂缓冲液的理论研究,抑制电荷不平衡效应
机译:使用额外的2-D空穴气体的GaN基2-D电子气器件中的电荷平衡及其对GaN基异质结构场效应晶体管动态行为的影响
机译:掺杂SiC衬底上生长的AlGaN / GaN掺杂沟道异质结场效应晶体管中的衬底偏置效应
机译:在施加的偏压和栅极电压下,悬浮碳纳米管场效应晶体管中的拉曼光谱和电传输。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:GaN异质结构场效应晶体管结构中的电荷移动,在施加衬底偏置的情况下,碳掺杂的缓冲液