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机译:Ge在高温下从Si(111)中去湿制备的三维结构的性质
A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia,Novosibirsk State University, Novosibirsk 630090, Russia;
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8562, Japan;
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8562, Japan;
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8562, Japan;
机译:Pd厚度和退火温度的系统控制对通过固态去湿Si(111)上钯纳米结构的制备和演化的影响
机译:低温分子束外延法制备Co2FeSi / Si(111)的铁磁性能对生长温度的显着依赖性
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机译:在各种氧气部分压力下通过脉冲激光沉积制备的Pt(111)/ Ti / SiO_2 / Si衬底上BifeO_3薄膜的结构和性质
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机译:在不同沉积温度下RF-磁控溅射制备的ZnO纳米结构的结构,光学和UV光响应性的退火效应