机译:低压化学气相沉积后进行高温退火制成的氮化硅中嵌入的硅纳米晶体的光致发光
Departement d'Electronique, Universite de Jijel, 18000, Algeria,Laboratoire d' etude des materiaux, LEM, Universite de Jijel, BP 98 Ouled Aissa, Jijel, 18000, Algeria;
Departement d'Electronique, Universite de Jijel, 18000, Algeria,Laboratoire d' etude des materiaux, LEM, Universite de Jijel, BP 98 Ouled Aissa, Jijel, 18000, Algeria;
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Departement d'Electronique, Universite de Jijel, 18000, Algeria,Laboratoire d' etude des materiaux, LEM, Universite de Jijel, BP 98 Ouled Aissa, Jijel, 18000, Algeria;
机译:沉积后退火温度对通过热线化学气相沉积制备的氮化硅电介质多层膜中嵌入的硅量子点的影响
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积制备的氮化硅膜中嵌入的硅纳米团簇的可见光致发光
机译:退火条件对低压化学气相沉积生长硅纳米晶光致发光性能的影响
机译:硅衬底上低压化学气相沉积氮化硅中表面有机污染物对孵育时间的影响
机译:镧系元素离子注入对氮化硅膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光的影响。
机译:热退火对非晶硅氮化硅膜嵌入浓度的致密Si纳米蛋白光致发光的影响
机译:SIHCL3和NH3沉积低压化学气相沉积 - 氮化硅涂层的合成与优化