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机译:退火温度对溅射氮化铝薄膜力学和电学性能的影响
Institute of Sensor and Actuator Systems, Vienna University of Technology, Vienna 1040, Austria;
Institute of Sensor and Actuator Systems, Vienna University of Technology, Vienna 1040, Austria;
Institute of Sensor and Actuator Systems, Vienna University of Technology, Vienna 1040, Austria;
CTR Carinthian Tech Research AG, Villach 9524, Austria;
Institute of Sensor and Actuator Systems, Vienna University of Technology, Vienna 1040, Austria;
机译:退火温度对直流溅射技术沉积在SiO_2 / Si衬底上的氮化钽薄膜电阻器结构和电性能的影响
机译:退火温度对高压射频磁控溅射制备的柔性碲化铋薄膜的结构,机械和电性能的影响*
机译:低温退火对用于光伏应用的RF溅射生长的ZnO薄膜的结构,光学,电学和形态学特性的影响
机译:通过射频磁控溅射制备(100) - 铝氮化铝薄膜的内存和电性能
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:金属纳米复合材料上氮化铝薄膜的低温反应溅射
机译:具有不同纳米结构的室温溅射氮化铝薄膜的力学,腐蚀和生物学性质
机译:高温退火研究薄氮化铝薄膜的压电性能