机译:成分涨落及其抑制作用对InGaN合金的应变和发光的作用
Georgia Institute of Technology, GT-Lorraine, 2 Rue Marconi, 57070 Metz, France,UMI 2958, Georgia Tech-CNRS, 2 Rue Marconi, 57070 Metz, France,CNRS-LPN, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France;
CNRS-LPN, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France;
CNRS, Institut d'Electronique, de Microelectronique & de Nanotechnologie, UMR 8520, F-59652 Villeneuve D'Ascq, France;
Laboratoire de Physique des Solides, Batiment 510, CNRS UMR 8502, Universite Paris-Sud Ⅺ, F-91405 Orsay, France;
CEMES-CNRS and Universite de Toulouse, 29 rue J. Marvig, 31055 Toulouse, France;
CEMES-CNRS and Universite de Toulouse, 29 rue J. Marvig, 31055 Toulouse, France;
Groupe d'Etude de la Matiere Condensee, Universite de Versailles Saint-Quentin-CNRS, 45 Avenue des Etats-Unis, Versailles 78035, France;
Orange Labs, 40 rue du General Leclerc, 92794 Issy-les-Moulineaux Cedex 9, France;
Orange Labs, 40 rue du General Leclerc, 92794 Issy-les-Moulineaux Cedex 9, France;
UMI 2958, Georgia Tech-CNRS, 2 Rue Marconi, 57070 Metz, France;
Georgia Institute of Technology, GT-Lorraine, 2 Rue Marconi, 57070 Metz, France,UMI 2958, Georgia Tech-CNRS, 2 Rue Marconi, 57070 Metz, France;
机译:InGaN纳米线中的化学成分波动和应变松弛:金属/氮通量比的作用
机译:在蓝宝石和独立式GaN衬底上生长的Green-InGaN / GaN多量子阱中,应变引起的成分涨落和V缺陷形成
机译:从像差校正的透射电子显微镜图像序列分析InGaN中的统计组成合金涨落
机译:合金成分涨落对AlGaN和InGaN量子阱激光二极管中光增益特性的影响
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:从量子限制和激子结合能相关的光致发光峰确定InGaN / GaN纳米壁中的应变弛豫
机译:组成波动的作用及其对Ingan合金菌株和发光的作用
机译:横向电场对量子阱中激子跃迁光致发光线宽的影响:合金紊乱和成分波动贡献。 (重新公布新的可用性信息)。