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机译:护卫舰金属氧化物半导体场效应晶体管表面粗糙度变化的理论和实验评价。
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
机译:用去离子水清洗Ge衬底表面粗糙度的变化及其对Ge金属氧化物半导体场效应晶体管的电性能的影响
机译:Si(100),(110)和(111)-表面上n型金属氧化物半导体场效应晶体管的库仑散射限制的反层迁移率的实验评估:电导质量与法线相关性的影响弥撒
机译:高温退火降低(110)Si衬底表面粗糙度对(110)Si上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:反转式表面通道IN_(0.53)GA_(0.47)作为金属氧化物 - 半导体场效应晶体管,具有金属栅极/高k电介质堆叠和CMOS兼容的PDGE接触
机译:具有实验证实的6H-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的表面物理建模和评估。
机译:基于金属氧化物半导体场效应晶体管的库尔特计数器的实验表征
机译:边缘粗糙度对石墨烯纳米带电子输运的影响 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管