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机译:确定精确取向的硅上晶格匹配的BGaP和(BGa)(AsP)材料的折射率和直接带隙
Materials Sciences Center and Faculty of Physics, Philipps-Universitaet Marburg, 35032 Marburg, Germany,NAsP III/V GmbH, Marburg, Germany;
Materials Sciences Center and Faculty of Physics, Philipps-Universitaet Marburg, 35032 Marburg, Germany,NAsP III/V GmbH, Marburg, Germany;
机译:通过金属有机化学气相沉积在图案化精确定向(001)硅基板上的大面积直接异轴长度增长1550nm-nm ing-incum-pont结构
机译:具有高斯轮廓折射率的多孔硅介电镜中全向光子带隙的扩大
机译:具有高斯轮廓折射率的多孔硅基镜中的全向光子带隙
机译:在(001)硅衬底上匹配的直接带隙材料Ga(NAsP)晶格的整体生长
机译:锑化镓晶格匹配合金的带隙和带隙。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:一种与透明材料折射率相匹配不同柴油燃料折射率,提高实验可视化
机译:具有1.0eV带隙的InGaasN太阳能电池,与Gaas匹配的晶格;应用物理快报