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机译:直流磁控溅射中移动电离区的等离子体电势
Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, MS 53, Berkeley, California 94720, USA ,Jozef Stefan Institute, Jamova 39,1000 Ljubljana, Slovenia;
Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, MS 53, Berkeley, California 94720, USA;
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机译:电离区中的漂移势峰:大功率脉冲磁控溅射的“螺旋桨叶片”
机译:直流磁控溅射放电中的漂移电离区,电流非常低
机译:直流,脉冲和高电离脉冲功率磁控溅射制备反应溅射二氧化钛薄膜的研究
机译:溅射靶腐蚀及其对长时间直流磁控溅射镀膜的影响
机译:直流磁控溅射过程中衬底偏置对VO2薄膜质量及其绝缘体-金属过渡行为的影响
机译:电离区域中的电子加热:超越磁控溅射的Penning-Thornton范式
机译:使用石英晶体微量天平和网格能量分析仪测定直流磁控溅射系统中的电离分数和等离子体电位