机译:InGaN / GaN发光二极管的电子发射光谱中的低能峰鉴定
Univ Calif Santa Barbara, Mat Dept, Santa Barbara, CA 93106 USA;
Vilnius Univ, Inst Photon & Nanotechnol, Sauletekio 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania;
Univ Calif Santa Barbara, Mat Dept, Santa Barbara, CA 93106 USA;
Univ Calif Santa Barbara, Mat Dept, Santa Barbara, CA 93106 USA;
Univ Paris Saclay, Ecole Polytech, Lab Phys Matiere Condensee, CNRS, F-91128 Palaiseau, France;
Univ Paris Saclay, Ecole Polytech, Lab Phys Matiere Condensee, CNRS, F-91128 Palaiseau, France;
Univ Calif Santa Barbara, Mat Dept, Santa Barbara, CA 93106 USA;
Univ Calif Santa Barbara, Mat Dept, Santa Barbara, CA 93106 USA;
机译:低能电子注入机理的InGaN-GaN紫外发光二极管的结构优化
机译:通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
机译:InGaN / GaN发光二极管的新型光学探针:1.电反射斯塔克光谱,和2.时间分辨发射
机译:电子阻挡层在InGaN / GaN MQW发光二极管双波长发射中的作用
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:嵌入3D发光二极管中的InGaN / GaN核壳纳米棒的发射特性
机译:InGaN / GaN发光二极管中InGaN电子冷却器的机理