InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

陈小雪; 滕利华; 刘晓东; 黄绮雯; 文锦辉; 林位株; 赖天树

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InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

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采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0.1Ga0.9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0.2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3:1,而不支持1:1或1:0.94的观点.同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.

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来源
《物理学报》|2008年第6期|3853-3856|共4页
作者
陈小雪; 滕利华; 刘晓东; 黄绮雯; 文锦辉; 林位株; 赖天树;
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作者单位

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州,510275;

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州,510275;

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州,510275;

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州,510275;

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州,510275;

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州,510275;

中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州,510275;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
电子自旋; InGaN; 自旋极化; 自旋弛豫;

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