机译:宽间隙p型半导体LaCuOSe的空穴掺杂起源和相关光电性能
Frontier Research Center, S2-6F East, Mailbox S2-13, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan, Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan, Institute of Enginee;
机译:宽间隙p型半导体LaCuOSe的空穴掺杂起源和相关光电性能
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