机译:MgZnO厚度不同的MgZnO / MgZnO / SiO_2 / ZnO金属-半导体-金属双波段UVA和UVB光电探测器
Natl Cheng Kung Univ Inst Microelect Tainan 70101 Taiwan|Natl Cheng Kung Univ Dept Elect Engn Tainan 70101 Taiwan;
Southern Taiwan Univ Sci & Technol Dept Elect Engn Tainan 71005 Taiwan;
机译:基于GA2O3 / MGZNO异质结构的电压可调UVC-UVB双带金属 - 半导体 - 金属光电探测器通过RF溅射
机译:通过Ag纳米粒子的表面等离子体优化ZnO / Au / Mgzno / SiO_2夹层结构UV光电探测器的性能
机译:基于射频磁控溅射生长的MgZnO薄膜的紫外光电探测器
机译:使用ZnO / MgO / Al_2O_3靶通过射频磁控溅射制备的Al掺杂MgZnO薄膜的物理性质
机译:基于ZnO和MgZnO薄膜的金属-半导体-金属器件的室温激子激射技术的发展。
机译:通过与Pt纳米粒子表面等离激元的耦合显着增强MgZnO金属-半导体-金属光电探测器
机译:Mgzno / ZnO金属半导体 - 金属光电探测器的带调制