机译:通过对InGaN底层进行应变控制的改性来改善其光致发光特性的InGaN量子阱
Sony Corp, Atsugi, Kanagawa 2430014, Japan;
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Kanazawa Inst Technol, Nonoichi, Ishikawa 9218501, Japan;
Sony Corp, Atsugi, Kanagawa 2430014, Japan;
机译:IngaN量子阱通过ingaN底层的应变控制改善改善的光致发光性能
机译:InGaN底层对InGaN / GaN量子阱的电子和光学性质的影响
机译:InGaN生长中断对基于InGaN的多量子阱结构的光致发光性能的影响
机译:分子束外延产生的IngaN薄膜和IngaN / GaN量子孔的光致发光研究
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:嵌入AlGaNδ层的InGaN单量子阱的光致发光特性