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机译:金属有机化学气相沉积对锡前驱物对Ge_(1-x)Sn_x生长的影响
Nagoya Univ, Grad Sch Engn, Dept Mat Phys, Chikusa Ku, Furo Cho, Nagoya, Aichi 4648603, Japan;
Nagoya Univ, Grad Sch Engn, Dept Mat Phys, Chikusa Ku, Furo Cho, Nagoya, Aichi 4648603, Japan|Aichi Inst Technol, Toyota, Japan;
Nagoya Univ, Grad Sch Engn, Dept Mat Phys, Chikusa Ku, Furo Cho, Nagoya, Aichi 4648603, Japan|Nagoya Univ, Inst Mat & Syst Sustainabil, Chikusa Ku, Furo Cho, Nagoya, Aichi 4648603, Japan;
Nagoya Univ, Inst Innovat Future Soc, Nagoya, Aichi 4648601, Japan;
机译:通过金属有机化学气相沉积在图案化的SiO_2 / Si衬底上选择性生长Ge_(1-x)Sn_x外延层
机译:油浸拉曼光谱法评估金属有机化学气相沉积生长的Ge_(1-x)Sn_x台面结构中的各向异性双轴应力
机译:利用低温金属有机化学气相沉积法生长的原位掺磷Ge_(1-x)Sn_x层
机译:气液固法生长Au-Sn催化Ge_(1-x)Sn_x纳米线
机译:氧化铟基透明导电氧化物薄膜的金属有机化学气相沉积:前体合成,膜生长和表征及其在聚合物发光二极管器件中的应用。
机译:金属有机化学气相沉积法在InAs茎上自催化生长垂直GaSb纳米线
机译:钴(I)烯烃配合物:高纯度钴金属薄膜的金属有机化学气相沉积前体
机译:通过金属有机化学气相沉积生长Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格